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Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkristalls nach dem FZ-Verfahren, das mindestens umfasst: einen Schritt des Schmelzens und Bindens eines Halbleiterblocks, der als Rohmaterial dient, an einen Keimkristall; einen Schritt des Wachsens des Halbleiterblocks auf der kristallisierten Seite mit einer Erhöhung von dessen Durchmesser auf einen gewünschten Wert, um einen Kegelbereich zu bilden; einen Schritt des Wachsens des Halbleiterblocks auf der kristallisierten Seite mit dem Regulieren von dessen Durchmesser, so dass dieser einem gewünschten Wert entspricht, um einen geraden Hauptbereich zu bilden; und einen Schritt des Beendens der Zufuhr des Rohmaterials und der Verringerung eines Durchmessers des Halbleiterblocks auf der kristallisierten Seite, um den Halbleiterblock auf der kristallisierten Seite von einem Halbleiterblock auf der geschmolzenen Seite zu trennen, wobei ein Schritt des automatischen Regulierens der Erhöhung oder Verringerung eines Durchmessers des Halbleiterblocks auf der kristallisierten Seite mit Zufuhr des Rohmaterials zumindest im Schritt der Bildung eines geraden...
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