Steuerung für tiefe Temperaturen in einem Halbleiterbauelement

摘要

Halbleiterbauelement mit: mehreren Schaltungselementen, die einen Funktionsschaltungsbereich repräsentieren, der in einem Chipgebiet ausgebildet ist; mindestens einem Heizelement (120), das in dem Chipgebiet ausgebildet ist, wobei das mindestens eine Heizelement (120) funktionsmäßig unabhängig von dem Funktionsschaltungsbereich und mit diesem thermisch gekoppelt ist; und einem Steuerungsmechanismus, der ausgebildet ist, das mindestens eine Heizelement (120) zu aktivieren, zumindest wenn eine Temperatur des Funktionsschaltungsbereichs unter einem spezifizierten Schwellwert liegt; und wobei das mindestens eine Heizelement (120) eine Widerstandsstruktur (121) aufweist, die in einer Grabenisolationsstruktur (133) ausgebildet ist, die mindestens eines der mehreren Schaltungselement lateral abtrennt.