| 发明名称 | 60V高边LDNMOS结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种60V高边LDNMOS结构及其制造方法，该方法包括步骤：提供P型硅衬底，在其上依次形成N型埋层和P型外延层；在P型外延层中注入磷，并经高温扩散形成低浓度的高压N阱；在P型外延层上制作多个场氧化隔离；在LDNMOS的源区部分图形曝光，注入硼和砷，并经高温扩散形成P型体区；在P型体区和场氧化隔离之间的P型外延层上形成栅氧化层，其与P型体区相连接并与场氧化隔离邻接；在栅氧化层及其相邻的场氧化隔离上热生长多晶硅栅并形成多晶栅极；以多晶栅极为对准层，在LDNMOS的源区以及漏区分别形成源极、漏极和P型体区引出端，源极和P型体区引出端位于P型体区中。本发明的高边LDNMOS源极与漏极的工作电压都为60V高压，并且与低边LDNMOS工艺兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN102354686A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201110366064.X | 申请日期 | 2011.11.17 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 刘建华;吴晓丽 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 一种60V高边LDNMOS结构(200)的制造方法，包括步骤：提供P型硅衬底(201)，在其上依次注入形成N型埋层(202)和热生长P型外延层(203)；在所述P型外延层(203)中高能注入第一N型杂质，并经高温扩散形成低浓度的高压N阱(204)，作为所述高边LDNMOS结构(200)的高压阱以及高压器件的自隔离；依照标准CMOS工艺在所述P型外延层(203)上进行局部氧化工艺，制作器件/电路部分的多个场氧化隔离(205)；在所述高边LDNMOS结构(200)的源区部分图形曝光，高能注入P型杂质和第二N型杂质，并经高温扩散形成P型体区(206)，作为所述高边LDNMOS结构(200)的沟道；在所述P型体区(206)和场氧化隔离(205)之间的所述P型外延层(203)上形成栅氧化层(207)，所述栅氧化层(207)与所述P型体区(206)相连接并与所述场氧化隔离(205)邻接；在所述高边LDNMOS结构(200)的所述栅氧化层(207)及其相邻的场氧化隔离(205)上热生长多晶硅栅并形成多晶栅极(208)，同时在所述高边LDNMOS结构(200)的漏区形成多晶栅极场板；依照标准CMOS工艺，以所述多晶栅极(208)为对准层，在所述高边LDNMOS结构(200)的源区以及漏区依次图形曝光，分别形成源极(211)、漏极(212)和P型体区引出端(213)，所述源极(211)和P型体区引出端(213)位于所述P型体区(206)中。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||