| 发明名称 | 一种激光打孔后硅片的处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种激光打孔后硅片的处理方法，包括如下步骤：在硅片进行激光打孔之后，进行至少一次湿化学清洗，去除硅片表面的损伤层；然后用去离子水进行清洗，去除硅片表面的化学液，干燥处理。本发明在打孔之后设置了湿化学清洗的步骤，除去了硅片表面的杂质颗粒和激光损伤层，从而将颗粒污染和损伤层所造成的负面影响降至最低，试验证明，相比现有的制备工艺，经过本发明处理得到的太阳能电池的光电转换效率有0.1%左右的绝对提升，取得了意想不到的技术效果。 | ||
| 申请公布号 | CN102354716A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201110311661.2 | 申请日期 | 2011.10.14 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 | 发明人 | 朱冉庆;王栩生;章灵军 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋;陆金星 |
| 主权项 | 一种激光打孔后硅片的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅片进行激光打孔之后，进行至少一次湿化学清洗，去除硅片表面的损伤层；然后用去离子水进行清洗，去除硅片表面的化学液，干燥处理。 | ||
| 地址 | 215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 | ||