发明名称 |
C波段高能碳化硅陶瓷微波负载 |
摘要 |
本发明涉及一种C波段高能碳化硅陶瓷微波负载,采用碳化硅陶瓷电阻棒为微波吸收材料,负载包括波导管、电阻棒、吸收室、连接法兰、冷却装置组成,陶瓷电阻棒采用二次过渡焊接在波导管内。负载与待吸收微波装备相连接,微波信号源进入吸收室,碳化硅陶瓷电阻棒将微波进行吸收,产生的热量通过冷却装置传递出去,在1×10-6Pa真空中、1μs50Hz条件下可承受不小于50MW的脉冲功率,且平均功率不小于2kW,电压注波小于1.1,具有负载功率容量大、可靠性高、使用寿命长,以及结构紧凑、体积小、重量轻、适应高真空环境等特点。 |
申请公布号 |
CN102354786A |
申请公布日期 |
2012.02.15 |
申请号 |
CN201110321453.0 |
申请日期 |
2011.10.21 |
申请人 |
湖北汉鑫源真空电子科技有限公司 |
发明人 |
高恩元 |
分类号 |
H01P1/26(2006.01)I |
主分类号 |
H01P1/26(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种C波段高能碳化硅陶瓷微波负载,其特征在于采用碳化硅(SiC)陶瓷为微波吸收材料,包括波导管、电阻棒、吸收室、连接法兰、冷却装置组成,波导管的一端封闭,另一端装上连接法兰,波导管的内壁焊接多个电阻棒形成微波吸收室,波导管外壁上装有冷却装置。 |
地址 |
432000 湖北省孝感市黄陂西路特1号湖北汉鑫源真空电子科技有限公司 |