发明名称 | 减小基片与基片上的凸出电极之间的应力 | ||
摘要 | 本发明涉及具有基片和凸出电极的半导体元件。凸出电极具有基片表面,其面向基片并且包括一个通过间隙与基片分离的第一基片表面部分。该间隙允许凸出电极相对基片发生应力补偿形变。凸出电极的基片表面还包括第二基片表面部分,其与基片具有固定的机械连接并具有电连接。由于凸出电极与基片之间的机械连接的覆盖面积较小,凸出电极可以在三个维度上顺应所施加的机械应力,而不会将相同量的应力传递给基片或传递给组件中的外部基片。这使得组件寿命得以提高,在组件中半导体元件通过凸出电极连接至外部基片。 | ||
申请公布号 | CN101506970B | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
申请号 | CN200780030383.5 | 申请日期 | 2007.08.13 |
申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 约尔格·贾斯珀 |
分类号 | H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
主权项 | 一种半导体元件(100),具有基片(102)和基片上的凸出电极(104),所述凸出电极用于将半导体元件电连接至外部基片(202),其中所述凸出电极具有基片表面(130),所述基片表面(130)面向所述基片并且包括通过间隙(114)与基片分离的第一基片表面部分(132),所述间隙(114)允许凸出电极相对基片发生应力补偿形变,所述基片表面(130)还包括第二基片表面部分(134),其与基片具有固定的机械连接和电连接,以及其中所述间隙包括与基片相关联的凹进结构(114),所述凹进结构包括布置在距离凸出电极在其第一基片表面部分(132)的底表面不同距离处的不同表面部分,其特征在于所述凹进结构中形成有狭缝(128)。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |