| 发明名称 | 纳米线生长和获取的体系和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102351169A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201110192086.9 | 申请日期 | 2005.04.29 |
| 申请人 | 纳米系统公司 | 发明人 | 潘尧令;段镶锋;B·杜布罗;J·戈德曼;S·莫斯特拉谢;牛春明;L·T·罗马诺;D·斯顿博 |
| 分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 一种用于纳米线合成的方法，该方法包括：(a)将一种粒状纳米线前体材料定位在处于第一温度的容器的一端；(b)将催化剂颗粒定位在处于第二温度的所述容器的相对一端；(c)将材料从所述容器的一端传输到所述容器的另一端；和(d)使传输试剂与所述粒状纳米线前体材料反应以形成纳米线 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||