Laterales Halbleiterbauelement mit niedrigem Einschaltwiderstand

摘要

Halbleiterbauelement, das aufweist: – einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten lateralen Richtung (x), – eine erste Bauelementzone (12; 71) und eine zweite Bauelementzone (14), die in der ersten lateralen Richtung (x) des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zu der ersten Bauelementzone (12) angeordnet ist, – wenigstens eine Driftzone (11), die zwischen der ersten und zweiten Bauelementzone (12, 14) angeordnet ist, wobei die erste Bauelementzone (12; 71) mit der Driftzone einen Bauelementübergang bildet, ausgehend von dem sich bei Anlegen einer Sperrspannung zwischen der Driftzone (11) und der ersten Bauelementzone (12) eine Raumladungszone in der Driftzone (11) ausbreitet, – eine Driftsteuerzone (41) aus einem Halbleitermaterial, die benachbart zu der wenigstens einen Driftzone (11) in dem Halbleiterkörper (104) angeordnet ist und die an die zweite Bauelementzone (14) gekoppelt ist, – ein Akkumulationsdielektrikum (51), das zwischen der wenigstens einen Driftzone (11) und der wenigstens einen Driftsteuerzone (41) angeordnet...