发明名称 |
一种去除硼的硅提纯方法 |
摘要 |
本发明属于硅提纯技术领域,具体公开了一种去除硼的硅提纯方法。该方法包括如下步骤:(1)将硅加热熔融形成硅液,保持硅液温度在1600~1800℃,然后向硅液中通入混合气体,同时加入造渣剂偏硅酸钠,对硅液进行熔炼;该混合气体包括载体气体、氧气以及水蒸气;(2)将熔炼后的硅液,冷却铸锭,切除杂质富集部分。本发明的方法使熔炼时间大大缩短,并且硅原料的损失也大大减小,提高了提纯硅的产率。提纯后的硅中硼含量低,除硼效率高。并且没有新的杂质引入,对于金属杂质也有一定的去除效果,进一步可以提高硅的纯度。本发明的方法所需设备简单,不需要等离子等高能设备,能耗低。 |
申请公布号 |
CN102344142A |
申请公布日期 |
2012.02.08 |
申请号 |
CN201010240349.4 |
申请日期 |
2010.07.26 |
申请人 |
比亚迪股份有限公司 |
发明人 |
吴志能;司雷;沈益顺;彭少波 |
分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种去除硼的硅提纯方法,其包括如下步骤:(1)将原料硅加热熔融形成硅液,保持硅液温度在1600~1800℃,然后向硅液中通入混合气体和加入造渣剂,对硅液进行熔炼;所述混合气体包括载体气体、氧气以及水蒸气;所述造渣剂为偏硅酸钠;(2)将熔炼后的硅液,冷却铸锭,切除杂质富集部分。 |
地址 |
518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 |