| 发明名称 | 电子电路、电子电路装置和制造电子电路的方法 | ||
| 摘要 | 电子电路具有带有至少一个多栅极功能场效应晶体管的功能电路和带有至少一个多栅极ESD保护场效应晶体管的ESD保护电路。多栅极功能场效应晶体管被构造为完全耗尽型场效应晶体管，而多栅极ESD保护场效应晶体管被构造为部分耗尽型场效应晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1866521B | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN200610081881.X | 申请日期 | 2006.05.17 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | C·鲁斯;T·舒尔茨;N·乔哈里 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元;魏军 |
| 主权项 | 电子电路，●具有至少一个功能电路，所述功能电路具有至少一个带有至少两个栅极的多栅极功能场效应晶体管，●具有至少一个ESD保护电路，所述ESD保护电路具有至少一个带有至少两个栅极的多栅极保护场效应晶体管，●其中，所述多栅极保护场效应晶体管被构造为部分耗尽电载流子的晶体管，其中所述多栅极保护场效应晶体管的触发电压小于所述多栅极功能场效应晶体管的触发电压。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||