一种半导体激光器巴条制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体激光器巴条制作方法，包括以下步骤：(1)在进行解条之前，将半导体激光器外延片与双面金属化的晶片通过键合机形成金金合金，双面金属化晶片的外形尺寸与半导体激光器外延片一样，但厚度小于半导体激光器外延片，以保证发光区位于合金后的管芯的中心位置；(2)将合金后的半导体激光器外延片按所需宽度解条；(3)对巴条进行前腔面和后腔面镀相应膜系；(4)按常规线性封装工艺进行封装。本发明使半导体激光器的巴条发光区“移到”管芯内部，避免了高温的P区域与焊料的直接接触，有利于减小热应力，在线性封装工艺中可以达到每个巴条的发光点形成严格一条线，降低非线性弯曲，有利于实现使用要求较高的整形工艺。

主权项

一种半导体激光器巴条制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在厚度为80微米‑100微米的晶片上打孔，孔的行间距为0.8mm到4mm，孔的列间距为4mm到20mm；(2)将打孔后的晶片通过溅射的方法进行双面金属化，且保证打的孔内溅射有金属，使晶片两面电导通；为防止掉金可进行退火工艺；(3)将半导体激光器外延片按常规管芯工艺进行处理，包括P面刻脊、蒸SiO2、P面钛金工艺、刻解理槽；(4)把经过管芯工艺处理的半导体激光器外延片和打孔并金属化的晶片在键合机中键合，使晶片上的打孔和外延片的解理槽对齐，将晶片上的打孔列向和半导体激光器外延片进行管芯工艺后的解理槽平行，并保证打孔尽量避开脊而在解理槽上，然后形成半导体激光器外延片的P面和晶片的良好键合面，保证良好的热接触和电接触；(5)将键合后的半导体激光器外延片按所需宽度解条成巴条，解条过程中保证沿晶片上的打孔解开；(6)对巴条进行前腔面和后腔面镀膜；可以按照正常方法镀膜；(7)用铜热沉将巴条用铟工艺封装成，并用电极形成巴条的串联，发光区域位于同一直线。