发明名称 |
体声波薄膜共振器及其制造方法 |
摘要 |
本发明是有关于一种体声波薄膜共振器及其制造方法,其中的体声波薄膜共振器包含一硅基板、一第一金属层、一压电层以及一第二金属层,该第一金属层形成在该硅基板上,该第一金属层包含有多个下电极,该压电层覆盖该第一金属层,该压电层至少具有一第一上电极设置区、一第二上电极设置区、一第三上电极设置区、一环绕该第一上电极设置区外侧的第一改质区、一环绕该第二上电极设置区外侧的第二改质区及一环绕该第三上电极设置区外侧的第三改质区,第二金属层形成在压电层上,第二金属层包含有一第一上电极、一第二上电极及一第三上电极,第一上电极位于该第一上电极设置区,第二上电极位于该第二上电极设置区,第三上电极位于该第三上电极设置区。 |
申请公布号 |
CN102347746A |
申请公布日期 |
2012.02.08 |
申请号 |
CN201010242411.3 |
申请日期 |
2010.07.29 |
申请人 |
周雄 |
发明人 |
陈英忠;高国升;林瑞钦;魏清梁;郑建铨;周雄 |
分类号 |
H03H9/17(2006.01)I;H03H3/08(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/17(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种体声波薄膜共振器,其特征在于至少包含:一硅基板,其具有一第一表面与一第二表面;一第一金属层,其形成在该硅基板上,该第一金属层包含有多个下电极;一压电层,其覆盖该第一金属层,该压电层至少具有一第一上电极设置区、一第二上电极设置区、一第三上电极设置区、一环绕该第一上电极设置区外侧的第一改质区、一环绕该第二上电极设置区外侧的第二改质区及一环绕该第三上电极设置区外侧的第三改质区;以及一第二金属层,其形成在该压电层上,该第二金属层包含有一第一上电极、一第二上电极及一第三上电极,该第一上电极位于该第一上电极设置区,该第二上电极位于该第二上电极设置区,该第三上电极位于该第三上电极设置区。 |
地址 |
中国台湾高雄市苓雅区四维二路22号9楼之1 |