用于FN隧穿编程及擦除的三维存储器阵列

摘要

一种三维存储单元阵列，包括半导体基体柱及位线柱的一阵列、介电电荷捕捉结构、以及排列成正交于半导体基体柱及位线柱的所述阵列的多个阶层的字符线结构。所述半导体基体柱在相对的第一及第二边具有相对应的位线柱，以提供源极端及漏极端。所述半导体基体柱在相对的第三及第四边具有第一及第二通道表面。介电电荷捕捉结构则覆盖第一及第二通道表面，以在所述三维阵列的每一阶层的每一半导体基体柱的两边提供资料储存位置。上述元件可操作成一三维与门(AND)解码的闪存。

主权项

一种三维存储单元阵列，包括：多个三维排列的双存储单元结构，该双存储单元结构包括一半导体基体柱、位于该半导体基体柱的相对的第一及第二边的第一及第二位线柱、位于该半导体基体柱的相对的第三及第四边的介电电荷捕捉结构、排列成邻接位于该半导体基体柱的该第三边的该介电电荷捕捉结构的一第一字符线，以及排列成邻接位于该半导体基体柱的该第四边的该介电电荷捕捉结构的一第二字符线；以及一控制器，用以编程及擦除该多个双存储单元结构中的选取的存储单元，其方式为施加偏压于相对应的所述半导体基体柱与该第一及第二字符线中的一个以感应Fowler‑Nordheim隧穿。