半导体装置及其制造方法

摘要

本发明之一型态之半导体装置包含：绝缘闸极场效电晶体，其系在经由绝缘膜形成在支持基板主面之半导体膜，具有经由闸极绝缘膜形成之闸极电极膜与以在闸极长度方向夹着前述闸极电极膜之方式形成之源极区域及汲极区域；支持基板接触部，其系于贯通前述半导体膜及前述绝缘膜且及于前述支持基板之第1开口部具有经由氧化矽膜形成之多晶矽膜；层间绝缘膜，其系形成在前述半导体膜及前述支持基板接触部上；及布线，其系经由填充于贯通前述层间绝缘膜且及于前述支持基板接触部之第2开口部之导电材料连接于前述多晶矽膜。