| 发明名称 | 一种静电放电防护器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种静电放电防护器件，包括P型衬底，所述的P型衬底上设有P阱，P阱上设有从内向外同心环列的圆形或环形的第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第二P+注入区、第六N+注入区以及第三P+注入区；第二N+注入区、第一P+注入区和第三N+注入区依次紧挨，第五N+注入区、第二P+注入区和第六N+注入区依次紧挨，第六N+注入区和第三P+注入区通过浅壕沟隔离；第一N+注入区和第二N+注入区之间、第三N+注入区和第四N+注入区之间以及第四N+注入区和第五N+注入区之间的P阱表面覆有从下至上依次层叠的栅氧和多晶硅栅。本发明ESD防护器件利用衬底触发环形栅NMOS管，能有效改善多叉指GGNMOS的导通均匀性，具有面积小，电流均匀的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102034814B | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201010522615.2 | 申请日期 | 2010.10.28 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 马飞;韩雁;董树荣;宋波;苗萌;李明亮;吴健;郑剑锋 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 一种静电放电防护器件，包括P型衬底，所述的P型衬底上设有P阱，其特征在于：P阱上设有从内向外同心环列的圆形或环形的第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第二P+注入区、第六N+注入区以及第三P+注入区；第二N+注入区、第一P+注入区和第三N+注入区依次紧挨，第五N+注入区、第二P+注入区和第六N+注入区依次紧挨，第六N+注入区和第三P+注入区通过浅壕沟隔离；第一N+注入区和第二N+注入区之间、第三N+注入区和第四N+注入区之间以及第四N+注入区和第五N+注入区之间的P阱表面覆有从下至上依次层叠的栅氧和多晶硅栅。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||