等离子体反应器室中的具有晶片边缘气体注射的阴极衬套

摘要

本发明涉及用于等离子体反应器室的晶片支架，其中所述晶片支架具有与晶片边缘相邻且包围晶片边缘的晶片边缘气体注射器。

主权项

一种用于处理工件的等离子体反应器，包括：室壳体，包括侧壁和室顶；所述室中的工件支架，具有面向所述室顶的工件支撑表面；包围所述工件支架的阴极衬套，具有顶表面和基部，并具有多条从所述基部延伸到所述顶表面的内部气流通道；位于所述基部的气体供给室，与每条所述内部气流通道耦合；覆盖在所述阴极衬套的所述顶表面上的处理环，具有与所述工件支撑表面的周围边缘相邻的内侧边缘，所述处理环包括上处理环和下处理环；环形进料室，其由(a)所述阴极衬套的所述顶表面、(b)所述上处理环的面向径向向外的表面和(c)所述下处理环的面向径向向外的表面界定，其中所述多条内部气流通道中的每一条在所述顶表面开口到所述环形进料室；所述处理环中的气体注射器，其被形成为所述上处理环和所述下处理环之间的间隙，具有通过所述内侧边缘并朝向覆盖所述工件支撑表面的区定向的气体注射路径，所述气体注射器通过所述环形进料室与所述多条气流通道耦合；和与所述气体供给室耦合的气体供给系统。