| 发明名称 | 降低接触孔电阻的半导体元件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低接触孔电阻的半导体元件制造方法。首先，提供具有至少一接触孔的一半导体结构；之后形成一势垒层如钛/氮化钛叠层(Ti/TiN stack layer)于接触孔处；接着，对半导体结构进行高温回火，而势垒层是在回火后形成一氧化层如氮氧化钛(TiNO)层于氮化钛上；在回火后，是对半导体结构进行预清除(pre-clean)，以去除氧化层如氮氧化钛(TiNO)层。在预清除步骤后，再进行后续工艺如形成金属层并填充接触孔处。在回火后进行预清除步骤可使接触孔的电阻值降低进而改善元件的电性表现，亦可改善元件的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102339787A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201010234161.9 | 申请日期 | 2010.07.20 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李政雄 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种半导体元件的制造方法，至少包括：提供具有至少一接触孔的一半导体结构；形成一势垒层于该接触孔处；对该半导体结构进行高温回火，该势垒层是在回火后形成一氧化层；和对该半导体结构进行预清除(pre‑clean)，以去除该氧化层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||