一种非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法

摘要

一种非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法涉及太阳能应用技术领域。电池组件是按TCO玻璃层、非晶硅层、AZO膜层、PVB胶层、钢化玻璃层、AZO膜层、非晶硅层、TCO层和聚酰亚胺PI层依次排列。它可有效提高非晶硅太阳电池单位面积上的发电量，使其应用的范围更加广泛。

主权项

一种非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法，其特征在于，电池组件是按TCO玻璃层、非晶硅层、AZO膜层、PVB胶层、钢化玻璃层、AZO膜层、非晶硅层、TCO层和聚酰亚胺PI层依次排列，制备方法包括以下步骤：a、选取TCO玻璃，进行激光划刻后送入PECVD，沉积非晶硅层，对非晶硅层进行激光划刻；b、SPUTTER工艺腔室压强控制在（1～1.5）*10‑6mbar，AZO靶材与电池基板间距80～90mm，通入纯度4N5以上的Ar气体，流量为300～350slh，溅射AZO膜，膜厚500～600nm；c、激光划刻AZO背电极，使整个电池的发电层与前后电极导通，在背电极侧焊接电池正负引线，并将引线引至电池板上沿，电池后铺PVB胶，厚度为0.6～0.8mm，叠片背板钢化玻璃后送入高压釜进行层压；d、在钢化玻璃一侧沉积AZO膜层，膜厚500～600nm，激光划刻AZO层；e、送入PECVD沉积非晶硅层，沉积顺序依次为n层、i层和p层，n层厚度30～50nm，i层厚度200～300nm，p层厚度10～20nm，激光划刻非晶硅层；f、沉积TCO层，厚度700～800nm，激光划刻TCO层，使其与非晶硅、AZO层形成电路导通，在TCO膜层焊接电极引线，引至电池板上沿与前侧电池电极并联后接至接线盒；g、TCO上方使用聚酰亚胺PI透明基片进行封装，两块电池引线串联后引入接线盒。