发明名称 | 发光二极管组件的制造方法 | ||
摘要 | 一种发光二极管组件的制造方法,先在一基材层上被覆一反射层,在该反射层上被覆一发光层,并自发光层穿过反射层而朝向基材层延伸出一P型电极与一N型电极,借以形成一LED芯片结构;然后,利用一透光封装材料包覆LED芯片结构,使P型电极与N型电极外露于透光封装材料,借以形成LED芯片封装体;最后,将LED芯片封装体该P型电极与该N型电极电性连结于一电路基板,借以制作出LED组件。 | ||
申请公布号 | CN102005510B | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
申请号 | CN200910168908.2 | 申请日期 | 2009.09.02 |
申请人 | 艾笛森光电股份有限公司 | 发明人 | 吴建荣;孙宗鼎 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 梁挥;张燕华 |
主权项 | 一种发光二极管组件的制造方法,其特征在于,包含以下步骤:(a)在一基材层上被覆一反射层,并在该反射层上被覆一发光层;(b)自该发光层穿过该反射层而朝向该基材层延伸出一P型电极与一N型电极,借以形成一LED芯片结构;以及(c)利用一透光封装材料包覆该LED芯片结构,使该P型电极与该N型电极外露于该透光封装材料而形成一LED芯片封装体;以及(d)将该LED芯片封装体的该P型电极与该N型电极电性连结于一电路基板,借以制造出该发光二极管组件。 | ||
地址 | 中国台湾台北县 |