发明名称 发光二极管组件的制造方法
摘要 一种发光二极管组件的制造方法,先在一基材层上被覆一反射层,在该反射层上被覆一发光层,并自发光层穿过反射层而朝向基材层延伸出一P型电极与一N型电极,借以形成一LED芯片结构;然后,利用一透光封装材料包覆LED芯片结构,使P型电极与N型电极外露于透光封装材料,借以形成LED芯片封装体;最后,将LED芯片封装体该P型电极与该N型电极电性连结于一电路基板,借以制作出LED组件。
申请公布号 CN102005510B 申请公布日期 2012.02.01
申请号 CN200910168908.2 申请日期 2009.09.02
申请人 艾笛森光电股份有限公司 发明人 吴建荣;孙宗鼎
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥;张燕华
主权项 一种发光二极管组件的制造方法,其特征在于,包含以下步骤:(a)在一基材层上被覆一反射层,并在该反射层上被覆一发光层;(b)自该发光层穿过该反射层而朝向该基材层延伸出一P型电极与一N型电极,借以形成一LED芯片结构;以及(c)利用一透光封装材料包覆该LED芯片结构,使该P型电极与该N型电极外露于该透光封装材料而形成一LED芯片封装体;以及(d)将该LED芯片封装体的该P型电极与该N型电极电性连结于一电路基板,借以制造出该发光二极管组件。
地址 中国台湾台北县