| 发明名称 | Cu膜的成膜方法和存储介质 | ||
| 摘要 | 在腔室(1)内收纳晶片W，在腔室1内以气相状态导入作为1价Cuβ二酮配位化合物的Cu(hfac)TMVS和还原该配位化合物的还原剂，通过CVD法在晶片W上形成Cu膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102341525A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201080008289.1 | 申请日期 | 2010.01.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 小岛康彦;桧皮贤治 |
| 分类号 | C23C16/18(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种Cu膜的成膜方法，其特征在于，包括：在处理容器内收纳基板的工序；在所述处理容器内以气体状态导入1价Cuβ二酮配位化合物和还原该1价Cuβ二酮配位化合物的还原剂的工序；和在基板上通过所述还原剂还原所述1价Cuβ二酮配位化合物，通过CVD法在基板上沉积Cu，形成Cu膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||