发明名称 |
发光二极管芯片 |
摘要 |
一种发光二极管芯片,包括一第一半导体层、一第二半导体层及一位于第一半导体层及第二半导体层之间的半导体激发层,还包括一与半导体激发层隔开的反射层,该反射层相对半导体激发层倾斜设置而将半导体激发层发出的光线会聚。本发明的发光二极管芯片所发出的光线集中,具有较高的亮度。 |
申请公布号 |
CN102339923A |
申请公布日期 |
2012.02.01 |
申请号 |
CN201010238235.6 |
申请日期 |
2010.07.28 |
申请人 |
展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
沈佳辉;洪梓健 |
分类号 |
H01L33/46(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/46(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极管芯片,其包括一基板及依次堆叠于基板上的一第一半导体层、一半导体激发层及一第二半导体层,其特征在于:该发光二极管芯片还包括一通过间隙与半导体激发层隔开的反射层,该反射层相对半导体激发层倾斜设置而将半导体激发层侧向发出的光线进行会聚。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 |