| 发明名称 |
一种八边形网格状MOSFET功率管版图结构 |
| 摘要 |
大尺寸MOSFET通常在集成电路中作为功率器件使用，常见的叉指MOSFET功率管版图结构面积效率较低，且存在导通电阻大，寄生电容大，版图设计规则难以满足等缺点。针对这个问题，本发明公开了一种八边形网格状MOSFET功率管版图结构，通过使用八边形多晶硅条组成的网格把有源区分成方格阵列，实现了各个方向上相邻MOSFET的源/漏共用，提高了面积利用率，同时利用相邻八边形斜边组成的区域巧妙的解决了MOSFET中背栅接触的问题。本发明公开的八边形网格状MOSFET功率管的基本单元由有源区、源区接触孔、漏区接触孔、背栅接触孔、多晶硅条和金属绕线组成，而整体MOSFET的版图结构是由多个基本单元拼接实现的。 |
| 申请公布号 |
CN102339850A |
申请公布日期 |
2012.02.01 |
| 申请号 |
CN201010229114.5 |
申请日期 |
2010.07.19 |
| 申请人 |
中国人民解放军国防科学技术大学 |
发明人 |
郭阳;马卓;王志鹏;陈吉华;赵振宇;李少青;张民选;刘祥远;唐涛;韩龙 |
| 分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种功率MOSFET版图的结构，包括：八边形网格状MOSFET功率管的版图结构由基本单元的重复拼接来实现，基本单元由有源区、多晶硅条、源区接触孔、漏区接触孔、背栅接触孔和金属绕线组成； |
| 地址 |
410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号 |
