发明名称 |
用于太阳能电池中的隧道结的高掺杂层 |
摘要 |
本发明关于一种用于多结太阳能电池中的互连隧道结的高掺杂层。高掺杂层是被用来连接多结太阳能电池中的两个或更多个p在n上或n在p上的太阳能电池的隧道二极管结的一层或两层中的δ掺杂层。δ掺杂层通过以下步骤制造:中断隧道二极管的多层中的一层的外延生长,以明显比用在生长隧道二极管的层中的浓度大的浓度沉积δ掺杂剂,并且之后继续外延地生长剩余的隧道二极管。 |
申请公布号 |
CN102341913A |
申请公布日期 |
2012.02.01 |
申请号 |
CN201080009936.0 |
申请日期 |
2010.02.04 |
申请人 |
波音公司 |
发明人 |
C·M·费策尔 |
分类号 |
H01L29/88(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I |
主分类号 |
H01L29/88(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
赵蓉民 |
主权项 |
一种多结太阳能电池(400),包括:第一p/n型半导体材料的隧道二极管(304)的第一层;δ掺杂层(404),其具有与所述第一p/n型半导体材料类似的p/n型掺杂,所述δ掺杂层(404)明显比所述第一层薄,所述δ掺杂层(404)达到比所述第一层的掺杂剂浓度明显高的掺杂剂浓度,并且所述δ掺杂层沉积在所述第一层上;与所述隧道二极管(304)的所述第一层和所述δ掺杂层(404)互补的第二p/n型半导体材料的所述隧道二极管(306)的第二层,所述第二层外延地生长在所述δ掺杂层(404)上;以及至少两个光伏子电池(102,104),其被所述隧道二极管电连接。 |
地址 |
美国伊利诺伊州 |