发明名称 双极型晶体管结电容的提取方法
摘要 本发明公开了一种双极型晶体管结电容的提取方法,在版图设计中,将双极型晶体管的发射极直接接地,将双极型晶体管的基极接为二端口网络的端口1,而将双极型晶体管的集电极接为二端口网络的端口2;然后进行第一高频测试、第二高频测试,分别测两个端口之间的Y参数,接着分别按三个公式进行推导得到:双极型晶体管发射结电容Cje和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值,以及衬底电容Cjs在零偏压时的电容值;双极型晶体管衬底电容Cjs和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值,以及发射结电容Cje在零偏压时的电容值。本发明的双极型晶体管结电容的提取方法,能快速可靠地提取双极型晶体管结电容。
申请公布号 CN102338828A 申请公布日期 2012.02.01
申请号 CN201010233622.0 申请日期 2010.07.22
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 周天舒
分类号 G01R27/26(2006.01)I 主分类号 G01R27/26(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 王江富
主权项 一种双极型晶体管结电容的提取方法,其特征在于,包括以下步骤:一.在版图设计中,将双极型晶体管的发射极直接接地,将双极型晶体管的基极接为二端口网络的端口1,而将双极型晶体管的集电极接为二端口网络的端口2;二.分别进行第一高频测试、第二高频测试,得到双极型晶体管结电容;第一高频测试,是在双极晶体管的基极加扫描电压,在双极型晶体管的集电极加一个0V的电压,同时,选定测试频率freq,测两个端口之间的Y参数,接着按以下三个公式进行推导,得到双极型晶体管发射结电容Cje和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值,以及衬底电容Cjs在零偏压时的电容值;第二高频测试,是在双极晶体管的集电极加扫描电压,在双极型晶体管的基极加一个0V的电压,同时,选定测试频率freq,测两个端口之间的Y参数,接着按以下三个公式进行推导,得到双极型晶体管衬底电容Cjs和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值,以及发射结电容Cje在零偏压时的电容值;所述三个公式如下,其中Imag为一个复数的虚部,Y11,Y12,Y21,Y22为二端口网络的四个Y参数,2π*freq*Cje=Imag((Y11+Y12)/2),2π*freq*Cjc= Imag((Y21+Y12)/2),2π*freq*Cjs=Imag((Y21+Y22)/2)。
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
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