| 摘要 |
Leistungshalbleitervorrichtung mit: einer ebenen Abstrahlplatte (20), die sich in einer ersten Richtung (Y) und einer zweiten Richtung (X) erstreckt, einer Verdrahtungsmusterschicht (24) über einer isolierenden Schicht (22) auf der Abstrahlplatte (20), zumindest zwei Halbleiterchips (26, 28), die auf die Verdrahtungsmusterschicht (24) montiert sind, wobei die Halbleiterchips Oberflächenelektroden (25, 29) aufweisen, einer Harzverpackung (10) aus thermoplastischem Harz mit einem anisotropen linearen Ausdehnungskoeffizienten, der sein Maximum in der zweiten Richtung (X) hat, wobei die Harzverpackung (10) die Verdrahtungsmusterschicht (24), die Halbleiterchips (26, 28) und zumindest einen Abschnitt der Abstrahlplatte (20) bedeckt, einer leitenden Zuleitungsplatte (42), die elektrisch verbunden ist mit den Oberflächenelektroden (25, 29) der Halbleiterchips, und einer Zuleitungsmusterschicht (36), wobei die leitende Zuleitungsplatte (42) sich in der ersten Richtung (Y) und der zweiten Richtung (X) erstreckt zum Liefern einer Festigkeit in der zweiten Richtung (X) zum Begegnen der Schrumpfspannung der Harzverpackung in der zweiten Richtung... |
