Bipolares Leistungshalbleiterbauelement mit einem p-Emitter und höher dotierten Zonen in dem p-Emitter und Herstellungsverfahren

摘要

Bipolares Leistungshalbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), in dem in einer vertikalen Richtung (v) aufeinanderfolgend ein p-dotierter Emitter (8), eine n-dotierte Basis (7), eine p-dotierte Basis (6) und ein n-dotierter Hauptemitter (5) angeordnet sind, wobei der p-dotierte Emitter (8) eine Anzahl stark p-dotierter Zonen (82) mit einer lokal erhöhten p-Dotierung aufweist, die inselartig ausgebildet und vollständig von einer Zone (81) mit schwächerer p-Dotierung umgeben sind.