| 发明名称 | 单晶金刚石 | ||
| 摘要 | 提供了一种从在基本上没有表面缺陷的基质上通过化学气相淀积(CVD)生长的CVD金刚石生产大面积的单晶金刚石板的方法。横截在其上面进行金刚石生长的基质的表面地切开所述均相外延CVD生长的金刚石和所述基质，以生产大面积的单晶CVD金刚石板。 | ||
| 申请公布号 | CN101319358B | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN200810127436.1 | 申请日期 | 2003.09.19 |
| 申请人 | 六号元素有限公司 | 发明人 | G·A·斯卡斯布鲁克;P·M·马蒂诺;D·J·特威切恩 |
| 分类号 | C30B29/04(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 宁家成 |
| 主权项 | 一种单晶化学气相淀积金刚石板，其具有相对的两个主表面，并具有在生长过程中产生的位错，其中平均位错方向偏离至少一个主表面的法线的角度超过20°。 | ||
| 地址 | 英国男人岛 | ||