| 发明名称 | 后段制程模拟基底及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种后段制程模拟基底，包括，空片和覆盖所述空片的正面的介质层；所述空片的背面覆盖有钝化层。应用所述模拟基底模拟生产时，可减少曝光散焦现象的发生。一种后段制程模拟基底形成方法，在空片的背面形成有钝化层，应用形成的所述模拟基底模拟生产时，可减少曝光散焦现象的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN101620980B | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN200810040179.8 | 申请日期 | 2008.06.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王金丽 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种后段制程模拟基底，包括，空片和覆盖所述空片的正面的介质层；其特征在于：所述空片的背面覆盖有钝化层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江路18号 | ||