半导体器件的制造方法

摘要

本发明揭示一种制造半导体器件的方法，其包括在具有器件隔离结构的半导体衬底上方形成栅极结构，该栅极结构包括栅极电极与栅极硬掩模层的堆叠结构。形成填满栅极结构的绝缘膜。绝缘膜的预定区域被选择性地蚀刻，以将位线接触区域的半导体衬底暴露。该暴露后的半导体衬底接着施加C-HALO离子注入过程，并移除绝缘膜。

主权项

一种用以制造半导体器件的方法，其包括：(a)形成多个栅极结构于半导体衬底上方，每个该栅极结构包括栅极电极与栅极硬掩模层的堆叠结构，该半导体衬底具有器件隔离结构；(b)形成填满该多个栅极结构之间的空间的绝缘膜，所述绝缘膜以氧化物膜或氮化物膜形成；(c)选择性蚀刻该绝缘膜的预定区域以将位线接触区域的半导体衬底暴露；(d)将所暴露的半导体衬底施加C‑HALO离子注入过程；(e)移除该绝缘膜。