| 发明名称 | 场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种由下式(1)表示的杂化化合物和具有包含所述化合物的半导体层的场效应晶体管。(在所述式中，X<sup>1</sup>和X<sup>2</sup>各自独立地表示硫原子或硒原子，且R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自独立地表示C5～C16烷基。)<img file="dpa00001424994200011.GIF" wi="1175" he="257" /> | ||
| 申请公布号 | CN102333780A | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN201080009791.4 | 申请日期 | 2010.02.25 |
| 申请人 | 国立大学法人广岛大学;日本化药株式会社 | 发明人 | 桑原博一;池田征明;泷宫和男 |
| 分类号 | C07D495/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;C07C319/14(2006.01)I;C07C323/22(2006.01)I | 主分类号 | C07D495/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨海荣;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种由下式(1)表示的杂环化合物：<img file="FPA00001424994300011.GIF" wi="844" he="228" />其中X<sup>1</sup>和X<sup>2</sup>各自独立地表示硫原子或硒原子，且R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自独立地表示C5～C16烷基。 | ||
| 地址 | 日本广岛县 | ||