发明名称 | 腔体的制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种腔体的制造方法,包括步骤:提供硅基底,在硅基底上形成基底保护层;刻蚀基底保护层,形成多个窗口,直至露出下方的硅基底;以基底保护层为掩模,刻蚀硅基底,在硅基底中形成多个凹槽;在多个凹槽的侧壁形成侧壁保护层;以基底保护层和侧壁保护层为掩模,继续刻蚀凹槽,在硅基底中形成多个深槽;采用湿法腐蚀法腐蚀多个深槽,在硅基底内部形成腔体。本发明的制造方法属于正面加工工艺,不采用价格昂贵的背面工艺,其与传统的CMOS制造工艺完全兼容。本发明采用的工艺温度低于400度,并且形成腔体后基底的总厚度也大大减薄了。另外,本发明对工艺要求比较灵活,整个加工工艺稳定可靠,精度很高,并且成本较低。 | ||
申请公布号 | CN102328900A | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
申请号 | CN201110231784.5 | 申请日期 | 2011.08.12 |
申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 张挺;郑晨焱;夏佳杰;谢志峰;邵凯 |
分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈亮 |
主权项 | 一种腔体的制造方法,包括步骤:提供硅基底,在所述硅基底上形成基底保护层;刻蚀所述基底保护层,形成多个窗口,直至露出下方的硅基底;以所述基底保护层为掩模,刻蚀所述硅基底,在所述硅基底中形成多个凹槽;在多个所述凹槽的侧壁形成侧壁保护层;以所述基底保护层和所述侧壁保护层为掩模,继续刻蚀所述凹槽,在所述硅基底中形成多个深槽;采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽,在所述硅基底内部形成腔体。 | ||
地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 |