发明名称 |
一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法 |
摘要 |
本发明公开了一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法,在蓝宝石衬底上生长多层氮化镓基外延膜,然后通过划片槽隔离形成氮化镓基单元器件,将划片槽划穿至蓝宝石衬底表面,并在划片槽中填充保护材料;以金属层作为中间层,将所述氮化镓基外延膜连接于高导热导电衬底上;对激光光斑进行整形,将投影在蓝宝石衬底和氮化镓基外延膜界面处的光斑处理为图形化光斑阵列,该图形化光斑可有效降低和抑制激光冲击波应力;采用上述图形化光斑阵列透过蓝宝石照射到蓝宝石衬底和氮化镓界面处,使界面处的氮化镓发生分解,实现氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离。本发明实现了低损伤激光剥离,大大降低了氮化镓基外延膜的损伤,提高了芯片良品率。 |
申请公布号 |
CN101555627B |
申请公布日期 |
2012.01.25 |
申请号 |
CN200910031266.1 |
申请日期 |
2009.04.30 |
申请人 |
苏州纳晶光电有限公司 |
发明人 |
王怀兵;孔俊杰;杨辉;梁秉文 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
陶海锋 |
主权项 |
一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜,制作划片槽,分隔形成氮化镓基单元器件,然后将所述划片槽划穿至蓝宝石衬底表面,在划片槽中填充保护材料;(2)以金属层作为中间层,将所述氮化镓基外延膜连接于高导热导电衬底上;所述金属层为Au层或AuSn合金层;(3)对激光光斑进行整形,将投影在蓝宝石衬底和氮化镓基外延膜界面处的光斑处理为图形化光斑阵列;所述图形化光斑阵列的光斑直径为5~200μm,周期为10~200μm,且其光斑能量为平顶、高斯或近高斯分布;(4)将上述图形化光斑阵列透过蓝宝石照射到蓝宝石衬底和氮化镓界面处,使界面处的氮化镓发生分解,实现氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离。 |
地址 |
215125 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 |