发明名称 不同深度腔体的制造方法
摘要 本发明提供一种不同深度腔体的制造方法,包括:提供基底,其划分为多个区域;在基底上形成基底保护层;在基底保护层上形成多个不同尺寸和/或不同形状的窗口;刻蚀基底,在基底中的各个区域分别形成不同尺寸和/或不同深度的凹槽;在基底保护层的表面和凹槽的侧壁与底部淀积隔离层;去除基底保护层表面和凹槽底部的隔离层,在凹槽的侧壁残留的隔离层形成侧壁保护层;继续刻蚀凹槽,在各个区域分别形成不同深度的深槽;湿法腐蚀深槽,在多个区域的基底内部分别形成具有不同深度的腔体。本发明不需要添加额外的工艺步骤和光刻掩膜,就能够实现不同深度和高度的腔体,具有明显的成本竞争优势,尤其适合高集成度的复合传感器的制造。
申请公布号 CN102328899A 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN201110223477.2 申请日期 2011.08.05
申请人 上海先进半导体制造股份有限公司 发明人 张挺;郑晨焱;张艳红;张超;谢志峰;邵凯
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陈亮
主权项 一种不同深度腔体的制造方法,包括步骤:提供基底,所述基底按照形成腔体的不同深度被划分为多个区域;在所述基底上形成基底保护层;在所述基底保护层上形成多个不同尺寸和/或不同形状的窗口,直至露出下方的基底;以所述基底保护层为掩模,刻蚀所述基底,在所述基底中的各个区域分别形成不同尺寸和/或不同深度的凹槽;在所述基底保护层的表面和所述凹槽的侧壁与底部淀积隔离层;去除所述基底保护层表面和所述凹槽底部的隔离层,在所述凹槽的侧壁保留的所述隔离层形成侧壁保护层;以所述基底保护层和所述侧壁保护层为掩模,继续刻蚀所述凹槽,在各个区域分别形成不同深度的深槽;采用湿法腐蚀法腐蚀所述深槽,在所述多个区域的基底内部分别形成不同区域具有不同深度的腔体。
地址 200233 上海市徐汇区虹漕路385号