一次可编程存储单元、存储器及其制备方法

摘要

本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层，其中，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。该OTP包括按行和列排列的多个以上所述及的一次可编程存储单元。该OTP单元以及OTP具有编程电压低、单元面积小、可集成于集成电路的后端结构中、工艺灵活性强的特点，并且其制备方法相对简单、成本低。

主权项

一种一次可编程存储单元，包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，其特征在于，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层，其通过第一金属层和/或第一金属化合物层氧化形成；以及第二金属氧化物层，其通过第二金属层和/或第二金属化合物层氧化形成；其中，所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。