发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在对金属带进行超声波接合时,为了防止岛部的浮动,利用接合装置的紧固装置,需要按压岛部的周边区域或者设置在岛部周围的支承引脚。然而,随着装置的小型化,在不能确保足够的岛部周边区域的情况下,或者在未设有支承引脚的情况下,存在不能按压岛部侧的问题。在岛部的与引线相对的一边设有以和引线端部相同的高度向引线侧突出的突出部。通过利用紧固装置同时按压突出部和引线端部,在未设有支承引脚或者岛部周围没有按压区域的情况下,也能够防止岛部的浮动。
申请公布号 CN102332445A 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN201110178141.9 申请日期 2011.06.29
申请人 安森美半导体贸易公司 发明人 漆畑博可
分类号 H01L23/495(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/495(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 岳雪兰
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体元件,在其主表面配置有电极;岛部,其固定有该半导体元件;引线,其与该岛部分离并相对配置,与所述半导体元件电连接,一部分导出到外部;金属带,其一端与所述半导体元件的所述电极固定,而另一端与所述引线固定;在所述岛部设有从所述岛部的与所述引线相对的一边向所述引线附近突出的突出部。
地址 英属百慕大哈密尔顿