发明名称 |
使用利文森型掩模的图形形成方法及该掩模的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了使用利文森型掩模的图形形成方法及该掩模的制造方法。一种图形形成方法,包括具有第一最小尺寸(Dmin1)的第一图形部(10a)和第二最小尺寸(Dmin2)的第二图形部(10b),其中包括使用利文森型掩模进行曝光的第一曝光步骤和使用半色调型掩模进行曝光的第二曝光步骤。第二最小尺寸(Dmin2)为第一最小尺寸(Dmin1)的1.3倍以上时,第二曝光步骤的曝光量设为第一曝光步骤的曝光量以下。 |
申请公布号 |
CN1983024B |
申请公布日期 |
2012.01.25 |
申请号 |
CN200610173295.8 |
申请日期 |
2006.12.15 |
申请人 |
瑞萨电子株式会社 |
发明人 |
奥野满;茂庭明美 |
分类号 |
G03F1/00(2012.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/00(2012.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
浦柏明;刘宗杰 |
主权项 |
一种利文森型掩模的制造方法,该利文森型掩模具有透光板和配置在所述透光板的主表面并且具有多个开口部的遮光膜,所述开口部包含同相位开口部以及反转相位开口部,在所述反转相位开口部中,在所述主表面上形成凹部,所述凹部具有以延伸到所述反转相位开口部的端部下的方式形成的凹槽部,为了在被处理物上形成第一图形,成对设定所述同相位开口部和所述反转相位开口部,其中,包含在所述第一图形的两侧确定所述同相位开口部以及所述反转相位开口部的开口部设定步骤,所述开口部设定步骤包含如下步骤,当与其他部分相比,对之间的距离最近时,在所述距离最近的对之间相对置的所述开口部的至少一个上设定所述同相位开口部。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |