| 主权项 |
一种微影光谱纯度滤光器，其包含具交替层之一多层结构，其中该光谱纯度滤光器系配置成用以藉由反射或吸收不需要的辐射来增强一辐射光束之光谱纯度，其中该不需要的辐射为波长与远紫外线(EUV)辐射不同之辐射，及该光谱纯度滤光器还配置成用以收集从一辐射源发射的碎片(debris)，且该多层结构具有约10至100个交替层。如请求项1之微影光谱纯度滤光器，其中该光谱纯度滤光器系配置成用以反射或吸收深紫外线(DUV)辐射而透射EUV辐射。如请求项1之微影光谱纯度滤光器，其中该辐射光束中至少90%的EUV辐射能够透射穿过该光谱纯度滤光器。如请求项1之微影光谱纯度滤光器，其中在该辐射光束透射穿过该光谱纯度滤光器后，EUV辐射与DUV辐射之比率增加高达105倍。如请求项1之微影光谱纯度滤光器，其中该多层结构由2至200个交替层形成。如请求项1之微影光谱纯度滤光器，其中该多层结构由20至50个交替层形成。如请求项1之微影光谱纯度滤光器，其中形成该多层结构的每一交替层之厚度范围从约0.5至20 nm。如请求项1之微影光谱纯度滤光器，其中该交替层之多层结构之总厚度范围从约10至700 nm。如请求项1之微影光谱纯度滤光器，其中形成该多层结构的该等交替层系由以下任何层之一组合形成：Zr与Si层；Zr与B4C层；Mo与Si层；Cr与Sc层；Mo与C层；以及Nb与Si层。如请求项1之微影光谱纯度滤光器，其中该交替层之多层结构具有一嵌入其中的网目状结构。如请求项10之微影光谱纯度滤光器，其中该网目状结构系一具有尺寸约为1 mm2的复数个孔径之蜂巢形式。如请求项1之微影光谱纯度滤光器，其中该交替层之多层结构在一侧上受到一网目状结构的支撑。如请求项12之微影光谱纯度滤光器，其中该网目状结构系一具有尺寸约为1 mm2的复数个孔径之蜂巢形式。如请求项1之微影光谱纯度滤光器，其中该交替层之多层结构在二侧上皆受到一网目状结构的支撑。如请求项14之微影光谱纯度滤光器，其中该网目状结构系一具有尺寸约为1 mm2的复数个孔径之蜂巢形式。如请求项1之微影光谱纯度滤光器，其中能够从该辐射源收集的碎片系从以下项目之任何组合中选取：原子粒子、微粒子及离子。一种微影装置，其包括：一照明系统，其系配置成用以调节一辐射光束；一支撑物，其系配置成用以支撑一图案化元件，该图案化元件系配置成用以赋予该辐射光束之断面中一图案，以形成一图案化的辐射光束；一基板台，其系配置成用以固持一基板；一投影系统，其系配置成用以将该图案化辐射光束投射至该基板之一目标部分上；以及一光谱纯度滤光器，其包括具交替层一多层结构，且系配置成用以藉由反射或吸收不需要的辐射来增强该辐射光束之光谱纯度，其中该不需要的辐射为波长与EUV辐射不同之辐射，及该光谱纯度滤光器还系配置成用以收集从一辐射源发射的碎片，且该多层结构具有约10至100个交替层。如请求项17之微影装置，其中该光谱纯度滤光器系定位于该微影装置之一辐射源与集光器模组中。如请求项17之微影装置，其中该光谱纯度滤光器系定位于该微影装置之该照明系统中。如请求项17之微影装置，其中该光谱纯度滤光器系定位于一集光器之下游而在该辐射光束之一中间焦点之上游。一种微影装置，其包括一光谱纯度滤光器，该光谱纯度滤光器包含具交替层之一多层结构，其中该光谱纯度滤光器系配置成用以藉由反射或吸收不需要的辐射来增强一辐射光束之光谱纯度，其中该不需要的辐射为波长与EUV辐射不同之辐射，及该光谱纯度滤光器还系配置成用以收集从一辐射源发射的碎片，且其中该多层结构具有约10至100个交替层。一种元件制造方法，其包括：提供一辐射光束；图案化该辐射光束；将一图案化辐射光束投射到该基板之一目标部分上；以及藉由使用一包括具交替层之多层结构的光谱纯度滤光器来反射或吸收不需要的辐射，以增强该辐射光束之光谱纯度，其中该不需要的辐射为波长与EUV辐射不同之辐射，并且该多层结构具有约10至100个交替层。如请求项22之元件制造方法，其进一步包括：藉由该光谱纯度滤光器来收集从一辐射源发射的碎片。一种如请求项22之方法所制造之元件。如请求项24之元件，其中该元件系一积体电路；一积体光学系统；一导引与侦测图案，其系用于磁域记忆体；一液晶显示器；或一薄膜磁头。 |
