| 主权项 |
一种记忆体装置，其包含有记忆体元件，该记忆体元件包含：记忆层，其含有：2 at%以上、25 at%未满之由Ge,Sb及Bi所构成之群组所选取之至少其中之一元素；40 at%以上、65 at%以下之Te；以及20 at%以上、50 at%以下之Zn或Cd；系利用晶相及非晶相间之可逆相变化来记忆资讯；电极，其形成于上述记忆层之两面上；以及与上述记忆层相邻之区域，上述区域中Zn或Cd之含有量比上述记忆层之Zn或Cd之含有量多出10 at%以上。如申请专利范围第1项之记忆体装置，其中上述记忆体装置透射30%以上之记录光或再生光。一种记忆体装置，包含：复数记忆格；复数字元线，用以选择上述复数记忆格；以及复数资料线，以与上述复数字元线呈垂直之方式配置，从上述复数记忆格读出信号，其中上述复数记忆格分别具有：记体层，其含有：Ge或Sb；40 at%以上之Te；20 at%以上、50at%以下之Zn或Cd；系利用晶相及非晶相间之可逆相变化来记忆资讯；电极，用于对上述记忆层施加电压，而以夹着上述记忆层之方式形成；以及与上述记忆层相邻之区域，上述区域中Zn或Cd之含有量比上述记忆层之Zn或Cd之含有量多出10 at%以上。如申请专利范围第3项之记忆体装置，其中上述记忆层与上述电极之一面之间配设着绝缘膜。一种记忆体装置，包含：复数记忆格；复数字元线，用以选择上述复数记忆格；以及复数资料线，以与上述复数字元线垂直之方式配置，从上述复数记忆格读出信号；其中上述复数记忆格分别具有：记体层，其含有Ge或Sb；40 at%以上之Te；20 at%以上、50at%以下之由Zn,Au,Ag,Cu,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Rh,Pd,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy及Cd所选取之至少其中之一元素；系利用晶相及非晶相间之可逆相变化来记忆资讯；以及电极，用以对该记忆层施加电压，而以夹着上述记忆层之方式形成；其中上述记忆层与上述电极之一面之间配设着绝缘膜。如申请专利范围第5项之记忆体装置，其中将上述绝缘膜配设成为与上述电极之负电极接触。 |
