| 主权项 |
一种堆叠式晶片封装结构，包括：一封装结构，包括：一第一晶片，该第一晶片具有一第一表面及相对于该第一表面之一第二表面，其中仅该第一表面具有多数个第一凸块；一第二晶片，其中该多数个第一凸块配置于该第一晶片与该第二晶片之间，使该第一晶片透过该些第一凸块与该第二晶片电性连接；以及一第一底胶，填充于该第一晶片与该第二晶片之间，且包覆该些第一凸块；一对接基板，其中该封装结构系以倒置的方式配置于该对接基板上，使该第一晶片位于该第二晶片与该对接基板之间；以及多个第二凸块，配置于该第二晶片与该对接基板之间，使该第二晶片透过该些第二凸块与该对接基板电性连接。如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该些第一凸块系为金凸块或是钉状凸块。如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该些第二凸块系为金凸块或是钉状凸块。如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构，其中各该第二凸块系由两个凸块单元堆叠而成。如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构，其中该对接基板系为一晶圆或是一印刷电路板。如申请专利范围第1项所述之堆叠式晶片封装结构，更包括一第二底胶，填充于该第二晶片与该对接基板之间，且包覆该些第二凸块、该第一晶片以及该第一底胶。一种堆叠式晶片封装结构之制作方法，包括：提供一第一晶圆，其中该第一晶圆具有多个第一晶片单元，且各该第一晶片单元上配置有多个第一凸块；切割该第一晶圆，使各该第一晶片单元分别形成一第一晶片；提供一第二晶圆，该第二晶圆具有多个第二晶片单元；将该些第一晶片分别接合至该第二晶圆上之该些第二晶片单元，使各该第一晶片透过该些第一凸块与相对应之该第二晶片单元电性连接；填充一第一底胶于各该第一晶片与相对应的该第二晶片单元之间，使该第一底胶包覆该些第一凸块；研磨该些第一晶片之背部移除该些第一晶片之一部分，以薄型化该些第一晶片；研磨该些第一晶片之背部之后，于各该第二晶片单元承载该第一晶片之表面上形成多个第二凸块；切割该第二晶圆，使各该第二晶片单元分别形成一第二晶片，其中各该第二晶片、该第一晶片、该些第一凸块以及该第一底胶系形成一封装结构；将该封装结构倒置并接合于一对接基板上，使该封装结构之该第二晶片透过该些第二凸块与该对接基板电性连接；以及填充一第二底胶于该第二晶片与该对接基板之间，以包覆该些第二凸块、该第一晶片以及该第一底胶。如申请专利范围第7项所述之堆叠式晶片封装结构之制作方法，其中该些第一凸块系为金凸块或是钉状凸块。如申请专利范围第7项所述之堆叠式晶片封装结构之制作方法，其中将该些第一晶片分别接合至该第二晶圆上之该些第二晶片单元的方法包括热压合或是以超音波结合。如申请专利范围第7项所述之堆叠式晶片封装结构之制作方法，其中该些第二凸块系为金凸块或是钉状凸块。如申请专利范围第7项所述之堆叠式晶片封装结构之制作方法，其中该些第二凸块之高度系大于该第一晶片之背部至该第二晶片的距离。如申请专利范围第7项所述之堆叠式晶片封装结构之制作方法，其中将该封装结构接合至该对接基板的方法包括热压合或是以超音波结合。如申请专利范围第7项所述之堆叠式晶片封装结构之制作方法，更包括研磨该第二晶片之背部，以薄型化该第二晶片。 |
