| 主权项 |
一种力学量测定装置，系于单晶半导体基板表面具备变形检测部，以上述单晶半导体基板之平坦之背面作为接着面，安装于被测定物，用于测定变形者；其特征为：具备：第1感测器及第2感测器，分别具有由复数个扩散电阻形成之惠斯登电桥；第1放大器电路，用于放大上述第1感测器所输出之信号；及第2放大器电路，用于放大上述第2感测器所输出之信号；形成上述第1感测器之惠斯登电桥的复数个扩散电阻，与形成上述第2感测器之惠斯登电桥的复数个扩散电阻之间之距离，系较上述第1放大器电路之第1电晶体与第2放大器电路之第2电晶体之间之距离为小；上述第1感测器之上述复数个扩散电阻，与构成上述第1放大器电路之复数个回授电阻，其长边方向为同一方向；上述第2感测器之上述复数个扩散电阻，与构成上述第2放大器电路之复数个回授电阻，其长边方向为同一方向；上述第1感测器与第1放大器电路，以及上述第2感测器与第2放大器电路，系于上述单晶上被形成为大略线对称。一种力学量测定装置，系于单晶半导体基板表面具备变形检测部，以上述单晶半导体基板之平坦之背面作为接着面，安装于被测定物，用于测定变形者；其特征为：具备：第1感测器及第2感测器，分别具有由复数个扩散电阻形成之惠斯登电桥；第1放大器电路，用于放大上述第1感测器所输出之信号；及第2放大器电路，用于放大上述第2感测器所输出之信号；形成上述第1感测器之惠斯登电桥的复数个扩散电阻，与形成上述第2感测器之惠斯登电桥的复数个扩散电阻之间之距离，系较上述第1放大器电路之第1电晶体与第2放大器电路之第2电晶体之间之距离为小；构成上述第1放大器电路之复数个回授电阻之长边方向为同一方向，构成上述第2放大器电路之复数个回授电阻之长边方向为同一方向；上述第1感测器之上述复数个扩散电阻与上述第2感测器之上述复数个扩散电阻，其长边方向为正交，而且上述第1感测器之上述复数个扩散电阻之中心被并列为一列，上述第2感测器之上述复数个扩散电阻之中心被并列为一列，上述第1感测器与第1放大器电路，以及上述第2感测器与第2放大器电路，系于上述单晶上被形成为大略线对称。 |
