| 主权项 |
一种程式化一包含相变化材料之记忆胞的方法，包含：设定该记忆胞的一资料值；施加一组脉冲以储存该资料值，该组脉冲包括一初始常态化脉冲，其具有一脉冲形状用于将该记忆胞的该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态，以及一后续脉冲其具有一脉冲形状用于将该记忆胞的该相变化材料自该标准化电阻状态设置为一对应于设定之该资料值的电阻值。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该记忆胞可用来储存二位元，且包括施加一第一组脉冲假如设定之该资料值为00，一第二组脉冲假如设定之该资料值为01，一第三组脉冲假如设定之该资料值为10，及一第四组脉冲假如该设定资料值为11。如申请专利范围第1项所述之方法，包括：施加一第一组脉冲假如设定之该资料值为一第一资料值，该第一组脉冲包括一第一脉冲，其具有一脉冲形状用于将该记忆胞的该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态，以及一第二脉冲其具有一脉冲形状用于将该记忆胞的该相变化材料自该标准化电阻状态设置为一对应于该第一资料值的电阻值；施加一第二组脉冲假如设定之该资料值为一第二资料值，该第二组脉冲包括一第三脉冲，其具有一脉冲形状用于将该记忆胞的该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态，以及一第四脉冲其具有一脉冲形状用于将该记忆胞的该相变化材料自该标准化电阻状态设置为一对应于该第二资料值的电阻值，其中该第三脉冲的脉冲形状与该第一脉冲的脉冲形状相似。如申请专利范围第3项所述之方法，其中该第四脉冲具有一脉冲时间长度较该第二脉冲的时间长度为大。如申请专利范围第3项所述之方法，其中该第二脉冲系在该第一脉冲将该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态后施加至少约5奈秒。如申请专利范围第3项所述之方法，其中该第二脉冲系在该第一脉冲将该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态后施加至少约1奈秒。一种程式化一包含相变化材料之记忆胞的方法，包含：设定该记忆胞的一资料值；施加一重置脉冲假如设定之该资料值为一第一资料值，该重置脉冲具有一脉冲形状将会导致一主动区域转换为一非晶相，因此将该相变化材料设置为一对应于该第一资料值的电阻值；施加一第一组脉冲假如设定之该资料值为一第二资料值，该第一组脉冲包括一第一脉冲，其具有一脉冲形状将会导致该主动区域转换为一非晶相，以及一第二脉冲其具有一脉冲形状将会导致该主动区域的一部分转换为一结晶相，因此将该相变化材料设置为一对应于该第二资料值的电阻值；施加一第二组脉冲假如设定之该资料值为一第三资料值，该第二组脉冲包括一第三脉冲，其具有一脉冲形状将会导致该主动区域转换为一非晶相，以及一第四脉冲其具有一脉冲形状将会导致该主动区域的一部分转换为一结晶相，因此将该相变化材料设置为一对应于该第三资料值的电阻值。一种记忆装置，包含：一包含相变化材料之记忆胞；以及偏压电路用于施加一偏压调整至该记忆胞以设定一资料值；其中该偏压调整以设定该资料值包含一组脉冲，该组脉冲包括一初始常态化脉冲，其具有一脉冲形状用于将该记忆胞的该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态，以及一后续脉冲其具有一脉冲形状用于将该记忆胞的该相变化材料自该标准化电阻状态设置为一对应于该资料值的电阻值。如申请专利范围第8项所述之记忆装置，其中该记忆胞可适用来储存二位元，且包括该偏压调整包含一第一组脉冲假如设定资料值为00，一第二组脉冲假如该设定资料值为01，一第三组脉冲假如该设定资料值为10，及一第四组脉冲假如该设定资料值为11。如申请专利范围第8项所述之记忆装置，包括：该偏压调整包含一第一组脉冲假如设定资料值为一第一资料值，该第一组脉冲包括一第一脉冲，其具有一脉冲形状用于将该记忆胞的该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态，以及一第二脉冲其具有一脉冲形状用于将该记忆胞的该相变化材料自该标准化电阻状态设置为一对应于该第一资料值的电阻值；该偏压调整包含一第二组脉冲假如设定资料值为一第二资料值，该第二组脉冲包括一第三脉冲，其具有一脉冲形状用于将该记忆胞的该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态，以及一第四脉冲其具有一脉冲形状用于将该记忆胞的该相变化材料自该标准化电阻状态设置为一对应于该第二资料值的电阻值，其中该第三脉冲的脉冲形状与该第一脉冲的脉冲形状相似。如申请专利范围第10项所述之记忆装置，其中该第四脉冲具有一脉冲时间长度较该第二脉冲的时间长度为大。如申请专利范围第10项所述之记忆装置，其中该第二脉冲系在该第一脉冲将该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态后施加至少约5奈秒。如申请专利范围第10项所述之记忆装置，其中该第二脉冲系在该第一脉冲将该相变化材料预先调整至一标准化电阻状态后施加至少约1奈秒。一种记忆装置，包含：一包含相变化材料之记忆胞；以及偏压电路用于施加一偏压调整至该记忆胞以设定一资料值；其中该偏压调整包含一重置脉冲假如该资料值为一第一资料值，该重置脉冲具有一脉冲形状将会导致一主动区域转换为一非晶相，因此将该相变化材料设置为一对应于该第一资料值的电阻值；其中该偏压调整包含一第一组脉冲假如该资料值为一第二资料值，该第一组脉冲包括一第一脉冲，其具有一脉冲形状将会导致该主动区域转换为一非晶相，以及一第二脉冲其具有一脉冲形状将会导致该主动区域的一部分转换为一结晶相，因此将该相变化材料设置为一对应于该第二资料值的电阻值；其中该偏压调整包含一第二组脉冲假如该资料值为一第三资料值，该第二组脉冲包括一第三脉冲，其具有一脉冲形状将会导致该主动区域转换为一非晶相，以及一第四脉冲其具有一脉冲形状将会导致该主动区域的一部分转换为一结晶相，因此将该相变化材料设置为一对应于该第三资料值的电阻值。 |
