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Lichtemittierende 3-5 Nitrid-Verbindungshalbleitervorrichtung umfassend ein Substrat (202; 402), eine Pufferschicht (204; 404) auf dem Substrat (202; 402), eine erste Elektrodenschicht (212; 416) auf der Pufferschicht (204; 404), eine aktive Schicht (220; 424) mit einer mehrfach Quanten-Potentialtopf-Struktur, die auf der ersten Elektrodenkontaktschicht (212; 416) angeordnet ist, und eine p-Typ GaN-Schicht (222; 428) mit einer Dicke von 500 bis 5000 Å, die auf der aktiven Schicht (220; 424) angeordnet ist, wobei die erste Elektrodenkontaktschicht (212; 416) eine n-Typ GaN-Schicht umfassend eine Si/In codotierte GaN-Schicht (212; 416) und eine Übergitterschicht (210; 414) unter der Si/In codotierten GaN-Schicht (212; 416).
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