微影双重图形成形方法

摘要

本发明是有关于一种微影双重图形成形方法，包含下列步骤：形成一第一光阻层于一基板上，第一光阻层包含至少一开口；固化第一光阻层；形成一第二光阻层于基板上；形成一物质层于基板上；以及移除第一及第二光阻层以曝露基板。藉此能够利用微影双重图形方法形成双重光阻图形，即第一光阻图形及第二光阻图形，使第一光阻图形及第二光阻图形间之分离间隔达成一更小的最小特征尺寸。

主权项

一种微影图形成形方法，其特征在于其包含以下步骤：形成一第一物质层于一基板上；形成一光罩层于该第一物质层上；形成一底部抗反射层于该光罩层上；形成一第一光阻图形于该底部抗反射层上，该第一光阻图形包含至少一开口，以曝露部份该底部抗反射层；以一固化工艺固化该第一光阻图形；形成一第二光阻图形于包含该底部抗反射层上的已固化的该第一光阻图形的该至少一开口中，以使该第一光阻图形在形成该第二光阻图形的一微影工艺中不被蚀刻，且该第一及该第二光阻图形间形成一间隔分离，以曝露出该底部抗反射层；形成一富硅顶部物质层于该底部抗反射层上的该间隔分离中；移除该第一及第二光阻图形；以及蚀刻该底部抗反射层以及该光罩层。