| 发明名称 | 光生伏打元件及其制造方法和具备该元件的光生伏打模块 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具备可提高耐候性的透明导电膜的光生伏打元件。该光生伏打元件，包括：光电变换层；和透明导电膜，该透明导电膜形成于光电变换层的表面上，包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层。氧化铟层的2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，该第二峰的峰强度小于第一峰的峰强度。 | ||
| 申请公布号 | CN101005101B | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
| 申请号 | CN200710004278.6 | 申请日期 | 2007.01.19 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 中岛武;丸山英治 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/048(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种光生伏打元件，其特征在于：包括：光电变换层；和透明导电膜，该透明导电膜形成于所述光电变换层的表面上，包含具有(222)的取向、且具有2个X射线衍射峰的氧化铟层，并且，所述氧化铟层的所述2个X射线衍射峰包括：低角侧的第一峰；和高角侧的第二峰，其与所述氧化铟层的所述第一峰的强度比在1以下，所述氧化铟层的所述低角侧的第一峰，2θ在30.1度附近，其中θ为X射线衍射角，所述氧化铟层的所述高角侧的第二峰，2θ在30.6度附近，其中θ为X射线衍射角。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||