发明名称 | 形成集成电路的方法及所得结构 | ||
摘要 | 本发明揭示用于在不具有电路的受主衬底上制造集成电路装置的方法。通过在受主衬底上顺序地安置一个或一个以上半导体材料层级且在安置下一较高层级之前在每一半导体材料层级上制造电路来形成集成电路装置。在囊封所述电路之后,移除所述受主衬底且单分半导体裸片。本发明还揭示通过所述方法形成的集成电路装置。 | ||
申请公布号 | CN102326230A | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
申请号 | CN201080009005.0 | 申请日期 | 2010.02.22 |
申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 古尔特杰·S·桑胡;克里希纳·K·帕拉 |
分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
主权项 | 一种集成电路制造方法,其包括:在受主衬底的表面上方形成牺牲材料;在所述牺牲材料上方将包括半导体材料的施主衬底接合到所述受主衬底;将接合到所述受主衬底的基础材料与所述施主衬底分隔开;及通过移除所述牺牲材料而从所述受主衬底释放所述基础材料。 | ||
地址 | 美国爱达荷州 |