| 发明名称 | 化学机械研磨方法及研磨装置 | ||
| 摘要 | 一种化学机械研磨方法，包括：获得基底上膜层的分区分布及对应每一分区的膜层厚度，每一分区与相邻的其他分区间具有开放式边界；根据所述膜层厚度与驱动值间的函数关系，获得驱动值；以所述驱动值研磨各分区。本发明还提供了一种化学机械研磨装置，应用其执行化学机械研磨操作时，可增强膜层内不同区域间的研磨均匀性及施加相同驱动值的同一区域内的研磨均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101590624B | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
| 申请号 | CN200810112808.3 | 申请日期 | 2008.05.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 李健;刘俊良 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B37/04(2012.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：获得基底上膜层的分区分布及对应每一分区的膜层厚度，每一分区与相邻的其他分区间具有开放式边界；根据所述膜层厚度与驱动值间的函数关系，获得驱动值；以所述驱动值研磨各分区；获得所述膜层的分区分布及对应每一分区的膜层厚度的步骤包括：采用多点测试法测量所述膜层的膜层厚度；将所述膜层分区，获得的每一分区包含至少一个测试点。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||