发明名称 |
用较大容量DRAM参与闪存介质管理构建高速固态存储盘的方法及装置 |
摘要 |
一种用较大容量DRAM参与闪存介质管理构建的高速固态存储盘装置,用作计算机或服务器的存储装置,包括闪存介质模块(37)和接口电路模块(31),尤其还包括较大容量的动态随机存储器DRAM模块(35)和DRAM参与管理闪存介质的硬盘控制器(39),以及为DRAM模块(35)所需的两重备电管理模块(38);所述DRAM参与管理闪存介质的硬盘控制器(39)分别通过地址/数据总线(32、33)与DRAM模块(35)、Flash模块(37)联接;DRAM参与管理闪存介质的硬盘控制器(39)通过复合总线与接口电路模块(31)联接;两重备电管理模块(38)电联接到DRAM参与管理闪存介质的硬盘控制器(39)。本发明有益效果在于:最大程度的降低Flash回写,构建的固态存储硬盘SSD对系统响应的速度得到极大提升。 |
申请公布号 |
CN101552032B |
申请公布日期 |
2012.01.18 |
申请号 |
CN200810218321.3 |
申请日期 |
2008.12.12 |
申请人 |
深圳市晶凯电子技术有限公司 |
发明人 |
王树锋 |
分类号 |
G11C7/10(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I;G11C5/14(2006.01)I;G06F12/02(2006.01)I |
主分类号 |
G11C7/10(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市睿智专利事务所 44209 |
代理人 |
陈鸿荫 |
主权项 |
一种用DRAM参与闪存介质管理构建高速固态存储盘的方法,用于组成计算机或服务器的存储系统;所述方法包括步骤: A.设置闪存介质模块(37)和接口电路模块(31);其特征在于还包括步骤:B.设置的动态随机存储器DRAM模块(35),将其一部分存储空间同所述闪存介质模块(37)一起用作数据存储;C.设置DRAM参与管理闪存介质的硬盘控制器(39);D.设置两重备电管理模块(38),用于在关机或者掉电时将所述DRAM模块(35)中的数据回写到所述闪存介质模块(37)中提供保护性备用电源;E.用所述的DRAM模块(35)构建超级高速缓存器Cache区域,采用分区和分级形式划分存储空间,同时构建复合型自适应调整的多种缓存策略的高效算法对所述区域和各分区进行内部管理;F.在所述固态存储盘SSD生产完成初始化阶段,要对所述DRAM模块(35)做离线测试,以便构建缺陷点区域表;G.所述DRAM模块(35)各存储器逻辑地址,在结合了所述缺陷点区域表之后映射到所述DRAM模块(35)的良好物理地址上;H.采用硬件实现的差错校验ECC纠错方式进行在线监视和检索,实时地将所述DRAM模块(35)内不稳定区域的地址登记到缺陷点区域表中从而参与新的映射管理。 |
地址 |
518000 广东省深圳市宝安区石岩镇宏发科技园G栋4楼 |