| 发明名称 | 沟槽式多晶硅二极管 | ||
| 摘要 | 本发明包括温度传感器，其包括被电连接到第一管脚和第二管脚的第一沟槽式多晶硅二极管，其中第一沟槽多晶硅二极管的一部分位于N-(P-)型外延区域的表面之下；和被连接到所述第一管脚和所述第二管脚的第二沟槽式多晶硅二极管，其中第二沟槽式多晶硅二极管的一部分位于N-(P-)型外延区域的所述表面之下，并且其中第一沟槽式多晶硅二极管和第二沟槽式多晶硅二极管被反并联地连接，能够通过在第一管脚和第二管脚之间测量的电压来确定温度。 | ||
| 申请公布号 | CN102322968A | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
| 申请号 | CN201110147177.0 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 维西埃-硅化物公司 | 发明人 | 陈曲飞;罗伯特.徐;凯尔.特里尔;戴娃.帕塔纳亚克 |
| 分类号 | G01K7/01(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/866(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 主分类号 | G01K7/01(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 丁艺;沙捷 |
| 主权项 | 一种温度传感器，包括：第一沟槽式多晶硅二极管，其被电连接到第一管脚和第二管脚，其中所述第一沟槽式多晶硅二极管的一部分位于N‑(P‑)型外延区域的表面之下；和第二沟槽式多晶硅二极管，其被连接到所述第一管脚和所述第二管脚，其中所述第二沟槽式多晶硅二极管的一部分位于所述N‑(P‑)型外延区域的所述表面之下，其中所述第一沟槽式多晶硅二极管和所述第二沟槽式多晶硅二极管被反并联地连接，其中能够通过在所述第一管脚和所述第二管脚之间测量的电压来确定温度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||