发明名称 |
利用光学发射光谱特性对刻蚀过程进行监测的方法 |
摘要 |
本发明提供一种利用光学发射光谱(Optical Emission Spectroscopy)特性对刻蚀过程进行监测的方法,其首先由光学发射光谱采集设备实时在线采集光谱信号,然后从中筛选出某些特定元素(例如CF2)的光谱或某一段光谱,然后再根据筛选出光谱信号的强度与刻蚀腔内壁淀积的聚合物的厚度之间的线性关系确定当前所述刻蚀腔内壁淀积的聚合物的厚度,由此可实现对刻蚀过程的实时有效监控。 |
申请公布号 |
CN101436530B |
申请公布日期 |
2012.01.18 |
申请号 |
CN200810204538.9 |
申请日期 |
2008.12.12 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
陈乐乐;许昕睿;林俊毅 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种利用光学发射光谱特性对刻蚀过程进行监测的方法,其特征在于,包括:a)在刻蚀过程中,光学发射光谱采集设备实时采集各元素光谱信号的强度;b)从所采集的光谱信号中筛选出特定元素的光谱信号,其中,所述特定元素的光谱信号强度与刻蚀腔内壁淀积的聚合物的厚度成线性关系;以及c)根据筛选出的特定元素的光谱信号强度,及所述特定元素的光谱信号强度与刻蚀腔内壁淀积的聚合物的厚度之间的线性关系确定当前所述刻蚀腔内壁淀积的聚合物的厚度。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 |