第Ⅲ族氮化物半导体生长基板、第Ⅲ族氮化物半导体外延基板、第Ⅲ族氮化物半导体元件、第Ⅲ族氮化物半导体自立基板及它们的制造方法

摘要

公开不仅在生长温度为1050℃下或低于1050℃的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的AlxGa1-xN的情况下，都具有良好的结晶性的第III族氮化物半导体外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体自立基板，以及制造这些的第III族氮化物半导体生长基板和有效率地制造这些的方法，所述方法特征在于装备有晶体生长基板，该基板的至少表面部分由含Al的第III族氮化物半导体制成；和在表面部分上形成的并由Zr或Hf制成的单一金属层。

主权项

一种第III族氮化物半导体生长基板，其包括：晶体生长基板，所述基板的至少表面部分包括含Al的第III族氮化物半导体；和在所述表面部分上形成的单一金属层，所述单一金属层由Zr或Hf制成。